SiC MOSFET的出现使大功率快速电力电子设备成为可能。然而，由于系统寄生参数影响以及控制板输出信号不可靠的原因，在高速开关过程中系统会出现剧烈振荡现象。本文通过实验得到了两种抑制剧烈振荡的方法。其中，在主回路中加入铁氧体磁珠的方法获得了振荡与损耗的较好权衡。