较之于传统硅器件，新出现的增强型氮化镓晶体管 GaN HEMTs（gallium nitride high electron mobility transistors）具有很高的开关速度和高功率密度的特性，可以为直流变换器提供有效的改进。为了解决 GaN HEMT在硬开关应用场合下的波形振荡并提高功率密度和效率，采用半桥 LLC谐振变换器为本次应用的拓扑结构。以减小损耗为目的，优化了 LLC的谐振参数和死区时间。在 400 V输入电压、开关频率 300 kHz和输出电压 18 V电流 12 A的测试条件下，效率达到 95.59%。最后对变换器的损耗来源进行分析，损耗的理论计算值接近实际测量值，证明了方法具有一定的实用性。