碳化硅MOSFET和二极管器件具有低损耗、结温低的优点，然而碳化硅MOSFET器件的价格远高于硅器件，将碳化硅二极管与硅开关器件混合使用可以在优化变流器效率的同时兼顾了系统成本。本文提出了一种适用于高压大功率场合，基于碳化硅二极管与硅IGBT模块的有源中点钳位三电平变流器拓扑。该拓扑每个桥臂使用两个碳化硅二极管，利用其优异的开关特性，使其工作在高开关频率下以改善IGBT的换流特性，从而减少变流器的损耗，提升其效率。通过搭建该拓扑的单相桥臂脉冲测试平台，得到了变流器开关器件换流特性，进一步建立了变流器的损耗模型，基于测试数据得到典型工况下变流器的损耗分布和效率曲线，验证了该拓扑的高效率。