本文研究基于TCAD软件建立能表征SiC-MOSFETs短路特性的数值模型和建模方法，从半导体物理角度对影响器件特性的因素进行讨论，得到了数值模型的关键参数组。针对数值模型的关键参数，设计了基于器件转移与输出特性的参数提取方案，并对其进行了验证。SiC-MOSFET器件短路仿真。结果表明，本文建立的器件模型能够准确模拟SiC-MOSFETs短路特性，提取出的短路峰值电流SCPC与短路耐受时间SCWT可用于其驱动与保护电路的设计和参数整定。