宽禁带(WBG)半导体器件由于更快的开关速度，被广泛应用于功率转换器。但是，更高的dv/dt和di/dt也造成了更加严重的电磁干扰(EMI)问题。而且，由于WBG半导体器件的寄生电容更小，开关频率更高，开关过程中的振铃也更加显著。为了研究振铃对EMI的影响，本文提出了一种解析的开关振铃预测算法。以此方法为基础，不仅可以准确地计算预测EMI频谱，而且能够进一步给出优化EMI的补偿参数。为验证本文方法的准确性，在Si(IPB65R190CFDA)、SiC(C3M0060065D)、emode GaN(GS66504B)和cascade GaN(TPH3206PSB)四种器件上应用本方法，计算四种器件的EMI频谱，并与仿真进行比较。结果表明，仿真与计算结果匹配良好，验证了本文方法的准确性。为进一步分析和验证，搭建了适用于四种器件的双脉冲测试电路，对比了其EMI频谱。结果表明，与Si器件相比，WBG器件的振铃及EMI频谱尖峰更高。为降低WBG器件的振铃，提出并对比了增加去耦电容和RC吸收回路两种方法。