本文针对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）在开关过程中的振荡问题，基于双脉冲半桥电路分析了开通和关断周期中每一阶段的过程。然后在RC抑制电路的基础上，提出了一种新型RCCD抑制电路的设计优化方案，能有效抑制振荡和电流电压尖峰问题，同时能在一定程度上优化抑制电路的损耗问题。最后搭建双脉冲仿真实验模型，结果验证了该抑制电路对过压、振荡和损耗问题的有效性。