电动汽车、航空航天等高新技术领域对功率半导体器件高温服役能力的要求迫切需要应用碳化硅（Silicon Carbide, SiC）功率半导体器件。然而，以芯片连接技术为关键的高温封装技术的不足制约着SiC器件性能的充分发挥。本文聚焦SiC高温封装情况下的纳米银烧结技术，从宏观和微观角度综合探究分析了烧结银失效形式和高温老化特性。随后基于银烧结高温互连技术实现了SiC高温功率器件的封装，并在最高结温488℃情况下验证了器件的高温工作可靠性。