本文针对GaN HEMT在高频桥式电路中存在的正负串扰问题，提出了一种用于高频串扰抑制的驱动电路。其中负压生成模块用于抑制正串扰，防止器件误开启。电压钳位模块使用比较器将负压钳位至0V和栅极阈值电压之间，从而抑制负串扰，同时降低该侧反向导通损耗。负压生成模块仅由3个无源元件组成，具有高频工况下稳定工作且负压深度可调节的特点。电压钳位模块的输出占空比可以根据死区时间进行调节，从而更好降低反向导通损耗。此外，该驱动电路工作仅需单个电源，无需额外增加控制信号。本文搭建了同步降压电路以验证该电路的有效性，最终在工作频率1MHz、死区时间30ns的条件下的测试结果表明，该电路可以在1MHz下稳定工作，相比恒定负压关断时的正负串扰分别抑制了77.27%和55.42%，反向导通损耗降低了35.19%。