SiC器件和软开关技术相结合，通过提高开关频率可以减小无源器件的体积，提高产品的功率密度。平面栅和垂直栅是目前两种主要的SiC沟槽技术，相同的沟槽技术，不同厂商的SiC器件在开关特性及热特性上也存在差异，因此有必要对不同厂商的器件特性进行对比分析以指导工程师进行有效的应用选取。本文基于600kHz、3.6kW软开关Buck变换器进行设计，一方面对SiC高频应用时的驱动电路进行了优化，提高了驱动工作的可靠性；另一方面通过器件的损耗分解，揭示了其关键参数对损耗的影响。最后选取了三款主流厂商相近规格的1200V SiC器件进行实验对比，验证了理论分析和实验的一致性，为SiC器件的高频化设计应用提供参考。