提出了高压自关断电力半导体器件的开关速度、耐压、导通电压之间的矛盾。简要地分析了碳化硅MOSFET的基本原理。分析了碳化硅MOSFET的主要参数，表明碳化硅MOSFET具有优异的开关特性和导通电压降；分析了碳化硅MOSFET的特性曲线；推荐了碳化硅MOSFET的驱动要点、驱动方式和推荐的驱动电路。