随着碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体的快速发展，高频变压器成为进一步提高模块功率密度的关键，其损耗、体积、寄生参数等会影响整体系统的性能，而纳米晶磁芯由于有着高饱和磁感应强度、低损耗的优点，在高频变压器设计中受到了广泛关注。本文首先分析了方波激励电压波形对高频变压器磁芯损耗模型的影响，给出了修正后的磁芯损耗模型；其次，针对漏感磁计算精度低的问题，提出了混合绕组排布下的漏感精确设计方法，该方法允许变压器绕线的自由度更高。之后总结了高频变压器优化设计的流程并设计了一台100 kHz/7.5 kW的纳米晶高频变压器。最后，搭建了变压器测试平台，漏感值测试结果与理论计算结果误差小于1%，损耗测试结果与理论计算结果误差在6%以内，验证了高频变压器设计方法的正确性。