大容量变流器中，直流母线支撑电容模组上的杂散电感是换流回路杂散电感的主要来源，在端口处增加高频去耦电容能够降低杂散电感带来的影响。为了优化高频去耦电容的具体选型，本文研究了碳化硅(SiC) MOSFET的开关特性受系统杂散参数的影响机理，从频域下端口阻抗特性、时域下功率器件关断瞬态过电压、去耦电容等效串联电阻 (Equivalent Series Resistance, ESR)的损耗三个角度，梳理了端口高频电容取值的影响因素。以优化关断过电压和开关损耗为目标，给出了端口高频去耦电容容值、通流能力、ESR限制条件的准确取值方法。